半导体材料

产品规格：

序号	产品名称	英文名称	分子式/化学符号	CAS号	外观形态	典型纯度	常见规格	主要用途/应用	储存条件	备注
1	锗锭	Germanium Ingot	Ge	7440-56-2	银白色有金属光泽的脆性固体/锭状	6N~9N (99.9999%~99.9999999%)	锭重1~10kg;单晶/区熔锗锭	红外光学窗口及透镜、光纤通信、空间太阳能电池衬底、X射线/红外探测器、聚合物催化剂	干燥、阴凉、密封存放，避免潮湿与机械损伤	半导体级锗，位错密度及少子寿命为关键指标
2	铟锭	Indium Ingot	In	7440-78-0	银白色质软金属，延展性好，可冷加工	4N5~7N (99.995%~99.99999%)	锭重0.5~10kg;高纯铟粒/铟箔可选	ITO透明导电靶材、III-V族化合物(磷化铟/砷化铟)原料、低温焊料、半导体掺杂与密封	密封、干燥保存，防止氧化及表面发雾	杂质(Fe/Cu/Cd等)含量越低，越适合半导体级用途
3	红磷	Red Phosphorus	P	7723-14-0	深红色至紫红色无定形粉末/无臭颗粒	6N~7N (99.9999%~99.99999%)	净重25kg/桶;半导体级小包装可选	磷化铟/磷化镓等III-V族化合物合成原料、N型掺杂磷源、磷烷(PH3)制备、阻燃剂及烟火	密封、阴凉、远离火源与强氧化剂，防潮防静电	半导体级需严格控制As/Sb/Si等杂质及转化温度
4	磷化铟材料	Indium Phosphide	InP	2287-11-6	银灰色金属光泽单晶/多晶，硬而脆	半绝缘Fe掺半 / 掺Sn/S导电型	单晶衬底2~6英寸;多晶锭/溅射靶材可选	光通信激光器/探测器、光模块、毫米波器件、高频高速晶体管(HEMT/HBT)、太赫兹器件	干燥、密封、避机械冲击，避免强酸强碱腐蚀	III-V族直接带隙半导体，电子迁移率高，适合高频光电子