产品中心

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序号 产品名称 英文名称 分子式/化学符号 CAS号 外观形态 典型纯度 常见规格 主要用途/应用 储存条件 备注
1 锗锭 Germanium Ingot Ge 7440-56-2 银白色有金属光泽的脆性固体/锭状 6N~9N (99.9999%~99.9999999%) 锭重1~10kg;单晶/区熔锗锭 红外光学窗口及透镜、光纤通信、空间太阳能电池衬底、X射线/红外探测器、聚合物催化剂 干燥、阴凉、密封存放，避免潮湿与机械损伤 半导体级锗，位错密度及少子寿命为关键指标
2 铟锭 Indium Ingot In 7440-78-0 银白色质软金属，延展性好，可冷加工 4N5~7N (99.995%~99.99999%) 锭重0.5~10kg;高纯铟粒/铟箔可选 ITO透明导电靶材、III-V族化合物(磷化铟/砷化铟)原料、低温焊料、半导体掺杂与密封 密封、干燥保存，防止氧化及表面发雾 杂质(Fe/Cu/Cd等)含量越低，越适合半导体级用途
3 红磷 Red Phosphorus P 7723-14-0 深红色至紫红色无定形粉末/无臭颗粒 6N~7N (99.9999%~99.99999%) 净重25kg/桶;半导体级小包装可选 磷化铟/磷化镓等III-V族化合物合成原料、N型掺杂磷源、磷烷(PH3)制备、阻燃剂及烟火 密封、阴凉、远离火源与强氧化剂，防潮防静电 半导体级需严格控制As/Sb/Si等杂质及转化温度
4 磷化铟材料 Indium Phosphide InP 2287-11-6 银灰色金属光泽单晶/多晶，硬而脆 半绝缘Fe掺半 / 掺Sn/S导电型 单晶衬底2~6英寸;多晶锭/溅射靶材可选 光通信激光器/探测器、光模块、毫米波器件、高频高速晶体管(HEMT/HBT)、太赫兹器件 干燥、密封、避机械冲击，避免强酸强碱腐蚀 III-V族直接带隙半导体，电子迁移率高，适合高频光电子


序号 产品名称 英文名称 分子式/化学符号 CAS号 外观形态 典型纯度 常见规格 主要用途/应用 储存条件 备注
1 锗锭 Germanium Ingot Ge 7440-56-2 银白色有金属光泽的脆性固体/锭状 6N~9N (99.9999%~99.9999999%) 锭重1~10kg;单晶/区熔锗锭 红外光学窗口及透镜、光纤通信、空间太阳能电池衬底、X射线/红外探测器、聚合物催化剂 干燥、阴凉、密封存放，避免潮湿与机械损伤 半导体级锗，位错密度及少子寿命为关键指标
2 铟锭 Indium Ingot In 7440-78-0 银白色质软金属，延展性好，可冷加工 4N5~7N (99.995%~99.99999%) 锭重0.5~10kg;高纯铟粒/铟箔可选 ITO透明导电靶材、III-V族化合物(磷化铟/砷化铟)原料、低温焊料、半导体掺杂与密封 密封、干燥保存，防止氧化及表面发雾 杂质(Fe/Cu/Cd等)含量越低，越适合半导体级用途
3 红磷 Red Phosphorus P 7723-14-0 深红色至紫红色无定形粉末/无臭颗粒 6N~7N (99.9999%~99.99999%) 净重25kg/桶;半导体级小包装可选 磷化铟/磷化镓等III-V族化合物合成原料、N型掺杂磷源、磷烷(PH3)制备、阻燃剂及烟火 密封、阴凉、远离火源与强氧化剂，防潮防静电 半导体级需严格控制As/Sb/Si等杂质及转化温度
4 磷化铟材料 Indium Phosphide InP 2287-11-6 银灰色金属光泽单晶/多晶，硬而脆 半绝缘Fe掺半 / 掺Sn/S导电型 单晶衬底2~6英寸;多晶锭/溅射靶材可选 光通信激光器/探测器、光模块、毫米波器件、高频高速晶体管(HEMT/HBT)、太赫兹器件 干燥、密封、避机械冲击，避免强酸强碱腐蚀 III-V族直接带隙半导体，电子迁移率高，适合高频光电子
茂图气体

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